CSMA/CD通讯方式CSMA/CD通讯方式是一种随机通讯方式，适用于总线结构的PLC络，总线上各站地位同等，没有主从之分，采用CSMA/CD存取控制方式，即“先听后讲，边讲边听”。CSMA/CD存取控制方式不能保证在一定时间周期内，PLC网络上每个站都可获得总线使用权，因此这是一种不能保证实时性的存取控制方式。但是它采用随机方式，方法简单，而且见缝插针，只要总线空闲就抢着上网，通讯资源利用率高，因而在PLC网络中CSMA/CD通讯法适用于上层生产治理子网。

废旧电缆的分类
1.绝缘种类：V代表聚氯乙稀；X代表橡胶；Y代表聚乙；YJ代表交联聚乙；Z代表纸。
2.导体材料：L代表铝；T（省略）代表铜。
3.内护层：V代表聚氯乙稀护套；Y聚乙护套；L铝护套；Q铅护套；H橡胶护套；F氯丁橡胶护套。
4.特征：D不滴流；F分相；CY充油；P贫油干绝缘；P屏蔽；Z直流。
5.控制层：0无；2双钢带；3细钢丝；4粗钢丝。
6.外被层：0无；1纤维外被；2聚氯乙稀护套；3聚乙护套。
7.阻燃电缆在代号前加ZR；耐火电缆在代号前加NH。

废旧电线电缆方法：?
废旧电线电缆，我们主要是获得其里面的有色金属铜，因此对于我









们的废电线电缆，该如何，无论哪种方法，它 终目的都是将铜和线皮分离。因此，我们就有了火烧、剥皮、粉碎、冷冻等等的废电线电缆方式。?
1.手工剥皮法：该方法采用人工的方式将电线电缆的皮剥，其效率低成本高，对于一些电缆线、平方线还好一些，如果是一些汽车线、网线、家电拆解线等毛丝杂线，其效果较差。随着现在经济的发展，人工成本是越来越高，采用该方式废电线电缆的是越来越少。?
2.焚烧法：该方法是一种比较传统的方法，其是利用线皮可燃的性质直接将废电线电缆燃烧，然后里面的铜。火烧取铜，电线在焚烧的过程中，铜线的表明严重氧化，降低了有色金属的率。不过燃烧线皮对环境的污染较大。在 强抓环保的今天，其是被明令禁止的。?
3.?机械剥皮法：该方法采用的是剥线机设备，其属于半机械化操作，需要一个人工，劳动强度较大。更重要的是，该方法只适用于一些单股平方线和电缆线。如果我们的是汽车线、家电线、网线、电子线等原料，使用剥线机设备是不适合的。?
4.机械粉碎法：该方法采用的是粉碎加分选的方式，通过粉碎将废电线电缆脱皮，之后利用水洗或者气流分化、静电分离的方式将铜塑分离，该方法适用面广，不仅可以粗的平方线、电缆线，也可以汽车线、摩托车线、电动车线、网线、通讯线、家电拆解线、电子线等原料，同时相对于机械剥皮设备，其产量更高，大大降低了人工工作强度。另外，该方法根据分离用水不用水的不同，又分为干式和湿式的，其中干式铜米机设备因为不用水洗的特点，在现在严查环保的今天，其市场需求量的比较大的。?
5.化学法：一提到“化学”两字，我们想到 多的就是环保问题。的确，该









方法要使用化学水，通过水的浸泡，使得线皮和铜分离。而问题是，其产生的水不好，会造成较大的环境污染，所以该方法也仅在实验阶段，并没有真正投入民用。?
6.?冷冻法：一听就比较高大上一些，该方法也是上世纪90年代提出的，其采用的是液氮作为制冷剂，使得废电线电缆在超低温下被冷冻进而变脆，然后经过破碎和震动，使得塑料和铜分离。该方法成本高，难以大规模工业化运行，也并没有投入实际生产

所以电位器的阻值只要小于或者等于10K，就可以。如果变频器的输出电压是0——10V，应该选择10K的电位器，如果变频器的输出电压是0——5V，应该选择4.7K的电位器，如果电流太大，会造成无端的功率损耗。电流信号4~20ma当外部输入信号为4~20ma时，在电路中串联一个500欧姆的电阻，在10V电源下，20ma对应的阻值为500。接线要检查电位器引脚的接线是否正确，在调试电位器的时候，测量一下看电位器引脚电压是否发生变化。

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另外，读卡器是一种长时间使用的设备，电路设计中一定要有防死机的电路进行保护，这点也是要注意的。注意事项四:是选用封胶的还是不封胶的读卡器?建议选用不封胶的读卡器，理由是:即使封胶了，蜂鸣器还是裸露在外面的，这里进水也会损坏读卡器。封胶采用的材料是树脂类的，国内一般都采用手工封胶固化剂混和不均匀，国内的树脂材料价格便宜但质量不好，长时间使用后会有导电性，使得读卡器运行混乱或者死机，进口树脂价格昂贵国内厂家一般不愿意采用，平摊到每个读卡器要十几块成本，此外，封胶也不适合设备散热，对读卡器的性能也是有影响的，所以，除非特殊场合一般没有必要一定要采用封胶的读卡器，特殊场合对读卡器进行一些防水保护就可以了。设以1ma作为光耦的导通电流，那么在220v交流电由0V变化到141V的过程需要1.5ms。而因为期间的一致性问题，部分光耦可能会在0.5ma的时候就导通，部分可能在0.7ma的时候导通。现设一致性带来的导通电流为0.5ma，那么对应导通电压为71V，对应滞后零点时间为736us，这表明，不同光耦之间零点差异可能达到764us。(实际测试中我检测了10个样品，其中两个光耦导通性能差别的时间差达到50us，其他普遍在10us左右)。