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2025直播版 ##盖州#变压器收购+附近哪里有很多初学者朋友不知道怎么分析电路图，今天小编就挑选几个经典案列一一讲解，只要你的学透了这几个电路，你就能慢慢学着自己设计电路了。 电工会给出电路图，只要你会分析电路图，看图接线即可。星三角降压启动这个是手动控制的接线图，主线部分的接线一定要注意相序，启动时电机星型接法，运行的时候是三角形接法。右边的控制线部分，KMY和KM△要互锁，启动按钮SB2按下去以后，KM一直是自锁状态，几秒延时以后我们手动按下SB3，这时候KMY线圈失电，同时KM△自锁。为了保障变频器的安全运行，避免变频器受负载冲击，必须好以下几点:㈠尽量保证变频器有充足的加减速时间变频器在机或升速时，自身有软起动功能；关机或减速时，自身有软关断功能。在设备允许的范围内，尽量增加加减速时间。当设备要求有较短的加减速时间时，变频器应采取以下措施:加减速时间由变频器容量和负载来决定。负荷越重，变频器容量越小，加减速时间设定应越长。 短的加减速时间是由变频器的容量决定的。若运行过程中冲击电流在允许时间内超过变频器的额定电流，则必须增加变频器的容量。51系列单片机有5个中断源，其中有2个是外部输入中断源INT0和INT1。可由中断控制寄存器TCON的IT1（TCON.2）和IT0（TCON.1）分别控制外部输入中断1和中断0的中断触发方式。若为0，则外部输入中断控制为电平触发方式；若为1，则控制为边沿触发方式。这里是下降沿触发中断。问题的引出几乎国内所有的单片机对单片机边沿触发中断的响应时刻方面的定义都是不明确的或者是错误的。文献中关于边沿触发中断响应时刻的描述为“对于脉冲触发方式（即边沿触发方式）要检测两次电平，若前一次为高电平，后一次为低电平，则表示检测到了负跳变的有效中断请求信号”，但实际情况却并非如此。主要用于存储程序中的变量。在单芯片单片机中（*1），常常用SRAM作为内部RAM。SRAM允许高速访问，内部结构太复杂，很难实现高密度集成，不适合用作大容量内存。除SRAM外，DRAM也是常见的RAM。DRAM的结构比较容易实现高密度集成，比SRAM的容量大。将高速逻辑电路和DRAM于同一个晶片上较为困难，一般在单芯片单片机中很少使用，基本上都是用作外围电路。（*1）单芯片单片机是指：将CPU，ROM，RAM，振荡电路，定时器和串行I/F等集成于一个LSI的微器。熟悉和掌握元器件的使用方法是十分必要的。例:交流接触器动作吸合时，相应的主触点由常～闭合，辅助触电常点～闭合，常闭点～断。热继电器一般装在主回路中进行设备的过载保护，但是辅助触点需要接到控制回路中来通断电路。电工电路图需要“动态”分析。在分析电路图时，不能“静止分析”，电路是一个动态的分析过程，要采用动态的思维来分析。:自锁电路动态分析：按下SB2，KM吸合，电动机运转，同时KM常触电闭合实现自锁，在SB2时，电路依然运转。

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